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IRF7324TRPBF  与  BSO203P H  区别

型号 IRF7324TRPBF BSO203P H
唯样编号 A-IRF7324TRPBF A-BSO203P H
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.9mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 18mΩ@9A,4.5V 21mΩ
上升时间 - 55ns
Qg-栅极电荷 - -26nC
栅极电压Vgs - 12V
正向跨导 - 最小值 - 33S
封装/外壳 8-SO -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 9A 8.2A
配置 - Dual
长度 - 4.9mm
下降时间 - 74ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2940pF @ 15V -
高度 - 1.75mm
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
典型关闭延迟时间 - 45ns
FET类型 P-Channel 2P-Channel
系列 HEXFET® OptiMOSP
通道数量 - 2Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2940pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 5V -
典型接通延迟时间 - 16ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7324TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 18mΩ@9A,4.5V 2W P-Channel 20V 9A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
IRF7311TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 29mΩ@6A,4.5V 2W N-Channel 20V 6.6A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7324 Infineon  数据手册 功率MOSFET

20V 9A 18mΩ@9A,4.5V 2W -55°C~150°C(TJ) 8-SO

暂无价格 0 对比
AO4821 AOS 功率MOSFET

9A 2P-Channel 19 mΩ @ 9A,4.5V 8-SOIC 2W -55°C ~ 150°C(TJ) 12V

暂无价格 0 对比
AO4821 AOS 功率MOSFET

9A 2P-Channel 19 mΩ @ 9A,4.5V 8-SOIC 2W -55°C ~ 150°C(TJ) 12V

暂无价格 0 对比
BSO203P H Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO203PHXUMA1_20V 8.2A 21mΩ 12V 2W 2P-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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